GS 508

Schalttransistor

Hersteller:

TESLA Roznov, CSSR, CSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

15.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

15.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

8.00 V

Strom (I_C):

30.00 mA

Leistung (P_tot):

85.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

15.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40 - 300

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1974 - Elektronisches Jahrbuch

Daten-WEB:

www

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1976 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 08.08.2024 / 09:47:38