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Datenwartung
E 110 D |
3 NAND mit je 3 Eing. |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR |
Bauform: | |
Betriebsspannung: | 5.00 V |
Kompatibel: | SN 8410 N - Texas Instruments |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
E 110 D |
4.35 |
3.22 |
2.60 |
1.93 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1981 |
Letzte Bearbeitung: 17.03.2024 / 09:01:50 |