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Datenwartung

E 110 D

3 NAND mit je 3 Eing.

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Betriebsspannung:

5.00 V

Kompatibel:

SN 8410 N - Texas Instruments

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TL 8410 N - Telefunken

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SFC 410 ET - Sescosem

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FLH 115 - Siemens

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K 133 ЛА 4 - UdSSR

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Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

E 110 D

4.35
3.22
2.60
1.93

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1981 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.03.2024 / 09:01:50