Datenanzeige

Start
Analogschaltkreise
Digitalschaltkreise
Mikrorechner/Speicher
Transistoren
Diode/Thyr./Triac
Optoelektronik
Sonstiges

Weitere Tabellen
Datenbücher
Sockelschaltungen
Kompatibel
Preislisten
Fehler melden


Onlineangebot
für DDR-Bauteile


Datenwartung

E 110 D

3 NAND mit je 3 Eing.

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR

Bauform:

Betriebsspannung:

5.00 V

Kompatibel:

SN 8410 N - Texas Instruments
TL 8410 N - Telefunken
SFC 410 ET - Sescosem
FLH 115 - Siemens
K 133 ЛА 4 - UdSSR


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

E 110 D

4.35
3.22
2.60
1.93

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1981

Letzte Bearbeitung: 17.03.2024 / 09:01:50