| Einloggen! |
||
| Anmelden! |
| Start |
|---|
| Analogschaltkreise |
| Digitalschaltkreise |
| Mikrorechner/Speicher |
| Transistoren |
| Diode/Thyr./Triac |
| Optoelektronik |
| Sonstiges |
| Weitere Tabellen |
|---|
| Datenbücher |
| Sockelschaltungen |
| Kompatibel |
| Preislisten |
Fehler melden
 elektronikbastelkiste.de |
|---|
Datenwartung
E 110 D |
3 NAND mit je 3 Eing. |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR |
Bild: |  |
Bauform: |  |
Betriebsspannung: | 5.00 V |
Temperaturbereich: | -25 - 85 °C |
Kompatibel: |
SN 8410 N - Texas Instruments |
Amazon |
|
TL 8410 N - Telefunken |
Amazon |
||
SFC 410 ET - Sescosem |
Amazon |
||
FLH 115 - Siemens |
Amazon |
||
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
E 110 D |
4.35 |
3.22 |
2.60 |
1.93 |
Datenblatt | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1981 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 28.06.2026 / 09:43:22 |
