SC 109

Transistor für Sonderanwendungen

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

9.00 V

Strom (I_C):

50.00 mA

Leistung (P_tot):

250.00 mW

Kompatibel:

BAW 75 -
BAY 52 -
1 N 138 -

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 24.07.2024 / 08:26:56