SC 206

NF-Transistor für Vor- und Treiberstufen

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

15.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

100.00 mA

Leistung (P_tot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

300.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

70

Typen in Klammern sind ähnlich.

SC 206 B

1.75

1.30

1.05

0.78

SC 206 C

1.80

1.33

1.10

0.82

SC 206 D

2.20

1.63

1.30

0.96

SC 206 E

2.60

1.93

1.55

1.15

SC 206 F

2.90

2.15

1.75

1.30

Datenblatt

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 24.07.2024 / 08:39:04