SF 121 A

Transistor für Breitband-, NF- und HF-Verstärker

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

20.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

100.00 mA

Leistung (P_tot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

130.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

18 - 35

Kompatibel:

2 SC 150 - Hitachi

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1972 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 24.07.2024 / 09:04:28