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Datenwartung
SC 111 D |
NF-Transistor für Vor- und Treiberstufen |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 20.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 200.00 mA |
Leistung (Ptot): | 600.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 60.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 113 - 276 |
Kompatibel: | BAW 75 - |
Datenblatt: | 1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1968 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:30 |