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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SF 123 A

Transistor für Breitband-, NF- und HF-Verstärker

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

66.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

130.00 MHz

Verstärkung (h21e):

18 - 35

Kompatibel:

BFY 34 - Siemens
BSY 10 - Mullard
BSY 45 - Telefunken
2 SC 152 - Hitachi


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1972 - Elektronisches Jahrbuch


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Datenblatt:

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch


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Daten veröffentlicht: 1968

Letzte Bearbeitung: 28.03.2024 / 09:11:41