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Datenwartung

SC 207 C

NF-Transistor für Vor- und Treiberstufen

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

15.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

20.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

300.00 MHz

Verstärkung (h21e):

56 - 140

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SC 207 C

2.30
1.70
1.40
1.04

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 24.07.2024 / 08:45:10