| Einloggen! |
||
| Anmelden! |
| Start |
|---|
| Analogschaltkreise |
| Digitalschaltkreise |
| Mikrorechner/Speicher |
| Transistoren |
| Diode/Thyr./Triac |
| Optoelektronik |
| Sonstiges |
| Weitere Tabellen |
|---|
| Datenbücher |
| Sockelschaltungen |
| Kompatibel |
| Preislisten |
Fehler melden
 elektronikbastelkiste.de |
|---|
Datenwartung
SC 236 E |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 20.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 30.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 200.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 145.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 224 - 560 |
-Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SC 236 E |
0.57 |
0.42 |
0.34 |
0.25 |
Datenblatt | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1981 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 10:49:21 |