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Datenwartung

SC 238 E

NF-Transistor (komplementär SC 308)

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

20.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

30.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

161.00 MHz

Verstärkung (h21e):

224 - 560

Kompatibel:

BC 238 - - Verschiedene Hersteller

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Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SC 238 E

0.70
0.52
0.42
0.31

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1981 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 10:53:31