SC 307 F

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

45.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

50.00 V

Strom (I_C):

100.00 mA

Leistung (P_tot):

250.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

350.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

450 - 1120

Kompatibel:

BC 307 - - Verschiedene Hersteller

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1984 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 10:57:52