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Datenwartung

SC 308 E

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bild:

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

25.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

30.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

250.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

350.00 MHz

Verstärkung (h21e):

224 - 560

Kompatibel:

BC 308 - - Verschiedene Hersteller

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Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SC 308 E

0.77

0.57

0.46

0.34

Datenblatt

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

? Du benötigst 5 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1984 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 24.11.2025 / 08:39:41