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Datenwartung
SC 309 E |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bild: |  |
Bauform: | .jpg) |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 25.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 30.00 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 250.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 350.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 224 - 560 |
Kompatibel: |
BC 309 - - Verschiedene Hersteller |
Amazon |
|
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
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|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SC 309 E |
0.92 |
0.68 |
0.55 |
0.41 |
Datenblatt | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1984 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 24.11.2025 / 08:40:21 |