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Datenwartung

SCE 238 F

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

20.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

30.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

265.00 MHz

Verstärkung (h21e):

450 - 1120

Kompatibel:

BC 848 - ITT

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BCW 60 - Siemens

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BCW 60 - Telefunken

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BCW 31/32/33 - Valvo

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Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SCE 238 F

1.05
0.78
0.63
0.47

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1981 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 11:03:33