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Datenwartung
SCE 309 E |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: | |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 25.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 295.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 224 - 560 |
Kompatibel: | BC 859 - ITT | |
BCF 29/30 - Valvo | ||
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SCE 309 E |
1.30 |
0.96 |
0.78 |
0.58 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1983 |
Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:48:53 |