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Datenwartung
SCE 537 B |
Transistor für allgemeine Anwendung |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: | ![]() |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 60.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 60.00 V |
Strom (IC): | 1.00 A |
Leistung (Ptot): | 0.80 W |
Grenzfrequenz (fT): | 50.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 63 - 160 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SCE 537 B |
2.00 |
1.48 |
1.20 |
0.89 |
Datenblatt: |
1988 - Aktive elektronische Bauelemente | ? Anzeige nicht möglich! Nicht angemeldet oder zu wenig Guckies! |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1988 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 11:11:25 |