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Datenwartung
SCE 539 C |
Transistor für allgemeine Anwendung |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 80.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 100.00 V |
Strom (IC): | 1.00 A |
Leistung (Ptot): | 0.80 W |
Grenzfrequenz (fT): | 50.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 100 - 250 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SCE 539 C |
2.40 |
1.78 |
1.45 |
1.07 |
Datenblatt: | 1988 - Aktive elektronische Bauelemente |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1988 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 11:13:40 |
