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Datenwartung

SD 339 B

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

80.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

80.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

1.50 A

Leistung (Ptot):

12.50 W

Grenzfrequenz (fT):

125.00 MHz

Verstärkung (h21e):

63 - 160

Kompatibel:

BD 139 - - Verschiedene Hersteller

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Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SD 339 B

2.35

1.74

1.40

1.04

SD 339 B/SD 340 B

5.35

3.96

3.20

2.37

Datenblatt

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

? Du benötigst 5 Guckies.

Datenblatt

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

? Du benötigst 10 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 11:20:56