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Datenwartung

SD 340 B

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

80.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

80.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

1.50 A

Leistung (Ptot):

12.50 W

Grenzfrequenz (fT):

210.00 MHz

Verstärkung (h21e):

63 - 160

Kompatibel:

BD 140 - - Verschiedene Hersteller

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Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SD 339 B/SD 340 B

5.35
3.96
3.20
2.37

SD 340 B

2.55
1.89
1.55
1.15

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1982 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 11:22:19