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Datenwartung
SF 121 C |
Transistor für Breitband-, NF- und HF-Verstärker |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 20.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 20.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 600.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 130.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 56 - 140 |
2 SC 150 - Hitachi
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DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
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|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SF 121 C |
2.50 |
1.85 |
1.50 |
1.11 |
Datenblatt | 1972 - Elektronisches Jahrbuch |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | 1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 24.07.2024 / 09:07:35 |