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Datenwartung
SF 121 D |
Transistor für Breitband-, NF- und HF-Verstärker |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 20.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 20.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 600.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 130.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 112 - 280 |
2 SC 150 - Hitachi
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DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
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|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SF 121 D |
2.75 |
2.04 |
1.65 |
1.22 |
Datenblatt: |
1972 - Elektronisches Jahrbuch | Anzeigen! ? Anzeige nicht möglich! Nicht angemeldet oder zu wenig Guckies! Du musst 5 Guckies haben! |
Datenblatt: |
1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch | Anzeigen! ? Anzeige nicht möglich! Nicht angemeldet oder zu wenig Guckies! Du musst 10 Guckies haben! |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 24.07.2024 / 09:08:06 |