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Datenwartung

SF 122 D

Transistor für Breitband-, NF- und HF-Verstärker

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

33.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

33.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

130.00 MHz

Verstärkung (h21e):

112 - 280

Kompatibel:

BFY 10 - Mullard

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BFY 33 - Siemens

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BSY 67 - Valvo

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BSY 44 - Telefunken

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2 SC 151 - Hitachi


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SF 122 D

3.10
2.30
1.85
1.37

Datenblatt:

1972 - Elektronisches Jahrbuch


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Datenblatt:

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch


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Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 24.07.2024 / 09:11:15