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Datenwartung

SF 129 B

Transistor für Breitband- und Schalter

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

80.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

120.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

7.00 V

Strom (IC):

250.00 mA

Leistung (Ptot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

130.00 MHz

Verstärkung (h21e):

28 - 71

Kompatibel:

BSY 55 - - Verschiedene Hersteller

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Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SF 129 B

3.10
2.30
1.85
1.37

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 16:11:45