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Datenwartung
SF 816 E |
HF-Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR |
Bauform: | |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 20.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 500.00 mA |
Leistung (Ptot): | 735.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 60.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 224 - 560 |
Kompatibel: | BF 469 - - Verschiedene HerstellerTypen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SF 816 E |
1.85 |
1.37 |
1.10 |
0.82 |
Datenblatt: | 1988 - Aktive elektronische Bauelemente | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1987 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:30 |