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Datenwartung
SF 817 C |
HF-Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 30.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 30.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 500.00 mA |
Leistung (Ptot): | 735.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 60.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 56 - 140 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SF 817 C |
1.70 |
1.26 |
1.00 |
0.74 |
Datenblatt: | RFT-mikroelektronik | |
Datenblatt: | 1988 - Aktive elektronische Bauelemente |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1986 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 15.07.2025 / 08:24:24 |
