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Datenwartung

SF 216 E

Transistor für HF-Verstärker

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

20.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

40.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

100.00 mA

Leistung (Ptot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

400.00 MHz

Verstärkung (h21e):

224 - 560

Kompatibel:

BF 255 - - Verschiedene Hersteller

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DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SF 216 E

3.35
2.48
2.00
1.48

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 16:25:49