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Datenwartung

SS 109 B

npn-Schalt-Transistor für Logikschaltungen

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

15.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

120.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

200.00 mA

Leistung (Ptot):

300.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

200.00 MHz

Verstärkung (h21e):

28 - 71

Kompatibel:

2 N 2369 -

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Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SS 109 B

0.85
0.63
0.51
0.38

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Datenblatt:

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 16:51:33