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Datenwartung

SS 125 B

npn-Schalt-Transistor für Logikschaltungen

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

25.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

30.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

500.00 mA

Leistung (Ptot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

30.00 MHz

Verstärkung (h21e):

29 - 55

Kompatibel:

-


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SS 125 B

1.05
0.78
0.63
0.47

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch


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Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 09.11.2024 / 17:25:42