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Datenwartung
SS 219 D |
npn-Schalttransistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 15.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 20.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 200.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 350.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 112 - 280 |
Kompatibel: | -Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SS 219 D |
1.05 |
0.78 |
0.63 |
0.47 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1985 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 09.11.2024 / 17:33:17 |
