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Datenwartung
SSE 219 C |
npn-Transistor für digitale Anwendung |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 15.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 20.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 140.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 56 - 140 |
Kompatibel: | (BSV 52) - - Verschiedene Hersteller | Amazon | |
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SSE 219 C |
1.30 |
0.96 |
0.78 |
0.58 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1982 Mikroelektronik Information Heft 8 |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1985 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 17:01:28 |
