BCAE 09 C (R)

Transistor (komplementär BCAE 79 (R))

Hersteller:

Unitra Cemi, VR Polen, Polen

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

20.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

100.00 mA

Leistung (P_tot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

150.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

450 - 900

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1979 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1979 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 11.04.2025 / 08:40:29