BSV 52 (R)

Transistor

Hersteller:

Unitra Cemi, VR Polen, Polen

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

12.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

100.00 mA

Leistung (P_tot):

200.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

400.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40 - 120

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1983 - Katalog Unitra

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 22.06.2024 / 09:29:40