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Datenwartung

BU 326

Transistor

Hersteller:

Unitra Cemi, VR Polen, Polen

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

400.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

800.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

10.00 V

Strom (IC):

5.00 A

Leistung (Ptot):

60.00 W

Grenzfrequenz (fT):

7.50 MHz

Verstärkung (h21e):

> 15

Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

BU 326

5.75

4.26

3.45

2.56

BU 326 A

5.75

4.26

3.45

2.56

Datenblatt

1983 - Katalog Unitra

? Du benötigst 5 Guckies.

Datenblatt

1982 Mikroelektronik Information Heft 8

? Du benötigst 10 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 0 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 10.11.2024 / 09:35:47