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Datenwartung
GC 111 |
Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .png) |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 80.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 10.00 V |
Strom (IC): | 125.00 mA |
Leistung (Ptot): | 120.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 200.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | 11 - 35 |
Kompatibel: | 2 SB 68 - Hitachi |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GC 111 |
1.10 |
0.82 |
0.66 |
0.49 |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1964 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:31:37 |
