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Datenwartung
GC 116 D |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .png) |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 20.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 20.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 10.00 V |
Strom (IC): | 150.00 mA |
Leistung (Ptot): | 92.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 500.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | >72 |
Kompatibel: | AC 116 - Telefunken | Amazon | |
AC 125 - Valvo | Amazon | ||
AC 151 - Siemens | Amazon | ||
OC 70 - Mullard | Amazon | ||
P 6 B - UdSSR |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 GC 116 D |
4.05 |
3.00 |
2.45 |
1.82 |
GC 116 D |
1.90 |
1.41 |
1.15 |
0.85 |
Datenblatt: |
1965 - Handbuch elektronische Bauelemente | ? Anzeige nicht möglich! Nicht angemeldet oder zu wenig Guckies! |
Datenblatt: |
1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch | ? Anzeige nicht möglich! Nicht angemeldet oder zu wenig Guckies! |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:34:48 |