GC 118 C

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

20.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

25.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

150.00 mA

Leistung (P_tot):

92.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

1.20 MHz

Verstärkung (h_21e):

45 - 88

Kompatibel:

AC 107 - Valvo

2 CB 75 - Hitachi

AC 150 - Telefunken

AC 151 R - Siemens

Typen in Klammern sind ähnlich!

GC 118 C

2.50

1.85

1.50

1.11

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:36:19