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Datenwartung

GC 118 C

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

20.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

25.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

10.00 V

Strom (IC):

150.00 mA

Leistung (Ptot):

92.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

1.20 MHz

Verstärkung (h21e):

45 - 88

Kompatibel:

AC 107 - Valvo

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2 CB 75 - Hitachi

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AC 150 - Telefunken

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AC 151 R - Siemens

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Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GC 118 C

2.50

1.85

1.50

1.11

Datenblatt

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

? Du benötigst 5 Guckies.

Datenblatt

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

? Du benötigst 10 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:36:19