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Datenwartung

GC 122 B

NF-Transistor (früher OC 822)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

33.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

35.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

15.00 V

Strom (IC):

250.00 mA

Leistung (Ptot):

92.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

12.00 kHz

Verstärkung (h21e):

29 - 55

Kompatibel:

AC 131/30 - Telefunken

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OC 76 - Valvo

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OC 76 - Mullard

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P 13 A - UdSSR
AC 152 - WD
OC 307 - WD
2 N 44 - USA
OC 76 - CSSR-Tesla
2 SB 77 - Japan
2 SB 89 A - Hitachi


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

2 GC 122 B

3.65
2.70
2.20
1.63

GC 122 B

1.60
1.19
0.96
0.71

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


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Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:43:41