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Datenwartung
GC 123 B |
NF-Transistor (früher OC 823) |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .png) |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 66.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 70.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 15.00 V |
Strom (IC): | 250.00 mA |
Leistung (Ptot): | 92.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 12.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | 29 - 55 |
Kompatibel: | OC 77 - Valvo | Amazon | |
OC 77 - Mullard | Amazon | ||
P 13 B - UdSSR |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 GC 123 B |
4.65 |
3.45 |
2.80 |
2.07 |
GC 123 B |
2.15 |
1.59 |
1.30 |
0.96 |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:45:16 |
