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Datenwartung
GC 123 C |
NF-Transistor (früher OC 823) |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 66.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 250.00 mA |
Leistung (Ptot): | 120.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 12.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | 45 - 88 |
Kompatibel: | OC 77 - Valvo | |
OC 77 - Mullard | ||
P 13 B - UdSSR |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 GC 123 C |
5.55 |
4.11 |
3.35 |
2.48 |
GC 123 C |
2.50 |
1.85 |
1.50 |
1.11 |