GC 123 C

NF-Transistor (früher OC 823)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

66.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

70.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

15.00 V

Strom (I_C):

250.00 mA

Leistung (P_tot):

92.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

12.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

45 - 88

Kompatibel:

OC 77 - Valvo

OC 77 - Mullard

P 13 B - UdSSR
ASY 77 - WD
OC 309 - WD
CK 721 - USA
OC 77 - CSSR-Tesla
2 SB 77 - Japan

Typen in Klammern sind ähnlich.

2 GC 123 C

5.55

4.11

3.35

2.48

GC 123 C

2.50

1.85

1.50

1.11

Datenblatt

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:45:37