GC 300 D

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

30.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

20.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

500.00 mA

Leistung (P_tot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

10.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

>72

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1965 - Halbleiter-Bauelemente

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:55:35