GC 301 D

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

30.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

321.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

1.00 A

Leistung (P_tot):

600.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

15.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

>72

Kompatibel:

AC 117 - Telefunken

AC 128 - Valvo

AC 152 - Siemens

AC 153 - Siemens

OC 84 -

2 SB 370 - Hitachi
2 SB 370 A - Hitachi

Typen in Klammern sind ähnlich!

2 GC 301 D

10.90

8.08

6.50

4.82

GC 301 D

4.90

3.63

2.95

2.19

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:57:58