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Datenwartung
GD 210 |
Leistungstransistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 48.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 60.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 20.00 V |
Strom (IC): | 6.00 A |
Leistung (Ptot): | 12.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 200.00 kHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1965 - Halbleiter-Bauelemente |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:12:20 |
