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Datenwartung

GD 220

Leistungstransistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

60.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

80.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

20.00 V

Strom (IC):

6.00 A

Leistung (Ptot):

12.00 W

Grenzfrequenz (fT):

200.00 kHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1965 - Halbleiter-Bauelemente

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:12:49