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Datenwartung
GS 100 B |
Schalttransistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 15.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 150.00 mA |
Grenzfrequenz (fT): | 15.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 29 - 55 |
Kompatibel: | OC 44 K - Tungsram, VR Ungarn | |
2 SA 12 - Hitachi |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GS 100 B |
4.05 |
3.00 |
2.45 |
1.82 |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1968 |
Letzte Bearbeitung: 30.03.2024 / 08:36:57 |