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Datenwartung
GS 100 D |
Schalttransistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 15.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 25.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 15.00 V |
Strom (IC): | 50.00 mA |
Leistung (Ptot): | 30.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 5.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 72 - 165 |
Kompatibel: | OC 44 K - Tungsram, VR Ungarn | Amazon | |
2 SA 17 - Hitachi |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GS 100 D |
5.75 |
4.26 |
3.45 |
2.56 |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage | |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 05.07.2024 / 07:55:19 |
