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Datenwartung
GS 111 C |
Schalttransistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .png) |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 15.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 20.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 10.00 V |
Strom (IC): | 200.00 mA |
Leistung (Ptot): | 83.00 mW |
Verstärkung (h21e): | 72 - 143 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GS 111 C |
7.15 |
5.30 |
4.30 |
3.19 |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 05.07.2024 / 07:59:47 |
