SF 112

Transistor für HF-Verstärker

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

30.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

30.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

4.00 V

Strom (I_C):

200.00 mA

Leistung (P_tot):

400.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

40.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

55

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1965 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 24.07.2024 / 09:01:39