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Datenwartung

SS 202

npn-Transistor für Ziffernanzeigeröhren

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bild:

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCB) / (UGD):

120.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

5.00 V

Strom (IC):

30.00 mA

Leistung (Ptot):

150.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

128.00 MHz

Verstärkung (h21e):

> 32

-


Typen in Klammern sind ähnlich.

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf
Typ
EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SS 202

1.05

0.78

0.63

0.47

Datenblatt

1985 - Aktive elektronische Bauelemente

? Du benötigst 5 Guckies.

Datenblatt

1968 - Silizium-Transistoren RFT-Datenbuch

? Du benötigst 10 Guckies.

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 24.11.2025 / 08:40:52