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Datenwartung
OC 826 |
Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 20.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 135.00 mA |
Leistung (Ptot): | 120.00 mW |
Verstärkung (h21e): | >20 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1962 - RFT - Halbleiter-Bauelemente Katalog | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1962 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |