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Datenwartung
2 OC 821 |
Transistorpaar |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 20.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | V |
Spannung (UEB) / (UGS): | V |
Strom (IC): | 125.00 mA |
Leistung (Ptot): | 100.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 300.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | >20 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 OC 821 |
16.85 |
0.00 |
0.00 |
0.00 |
Datenblatt: | 1962 - RFT - Halbleiter-Bauelemente Katalog | |
Datenblatt: | 1957 - Bauelemente der Nachrichtentechnik |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1957 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |
